2021-11-08 07:18:20
一、N-MOS管和P-MOS管的对比
二、N-MOS的开关条件
N-MOS晶体管的导通调节是当G极和S极的电压差超过阈值时，D极和S极导通。
在实际使用中，控制信号接G极，S极接GND，从而达到控制N-MOS晶体管通断的效果。D极和S极导通后，导通电阻Rds(on)极小，通常为几十毫欧，电流流过后形成的压降很小。
三、N-MOS的应用
3.1 防止电源接反的保护电路
下面是一个保护电路，它利用这个特性来防止电源的反向连接，这比使用二极管要好得多。如果直接使用二极管，会有大约0.7V的压降。
模拟电路如下：
N-MOS晶体管作为防止电路反接的方案，10K阻性负载采用VCC=5V电源，电压表和电流表分开测量，记录值为5V和500uA；当钥匙开关接通且模拟电源反向时，测量的记录值为-49.554毫伏和-4.955毫伏
3.2 电平转换电路
Sig1和Sig2是两个信号端子，VDD和VCC分别是3.3V和5.0V电平信号的高电压。
此外，限制条件为：
1、VDD=VCC
2.Sig1的低电平阈值大于约0.7V(取决于NMOS的二极管压降)。
3，Vgs=VDD
4，Vds=VCC
下面的截图显示了Multisim中的模拟效果，使用开关提供信号。
四、P-MOS开关条件
P-MOS晶体管的导通调节是当G极和S极的电压差低于阈值时，S极和D极导通。
在实际使用中，控制信号接G极，S极接VCC，从而达到控制P-MOS晶体管通断的效果。S极和D极导通后，导通电阻Rds(on)极小，通常为几十毫欧，电流流过后形成的压降很小。
五、P-MOS的应用
5.1 电源通断控制
P-MOS晶体管的通断控制实际上是控制其Vgs的电压，从而控制电源。
按键开关闭合前，P-MOS管的输出电压为0.0164V，按键开关闭合后，P-MOS管的输出电压为5 V。
但在实际电路中，一般用MCU的GPIO代替Key开关进行控制，同时MCU处于高电平时为3.3V，因此GPIO输出控制信号时需要晶体管，这里晶体管的选择也有差异。
有时，当我们想要一个GPIO控制几个信号时，我们会考虑电平匹配的问题。
5.2 高电平控制电源导通，用一个NPN三极管
5.3 低电平控制电源导通，用一组PNP+NPN三极管
