2021-03-28 16:54:13
SK 海力士首席执行官李锡熙说：“我们正在改进 DRAM 和 NAND 各个领域的技术发展所需的材料和设计结构，并逐步解决可靠性问题。如果以此为基础，并取得创新，将来有可能实现 10nm 以下的 DRAM 工艺和堆叠 600 层以上的 NAND。”
3D NAND 未来将达到 600 层以上
历史的经验早已证明，3D NAND 无论是在性能还是在可拓展方面，都是一种非常高效的体系结构，因此，SK 海力士将在未来几年继续使用它。早在 2020 年 12 月，SK 海力士就推出了具有 1.6Gbps 接口的 176 层 3D NAND 存储器，且已经开始和 SSD 控制器制造商一起开发 512GB 的 176 层存储芯片，预计在 2022 年会基于新型 3D NAND 存储器进行驱动。
就在几年前，该公司认为可以将 3D NAND 扩展到 500 层左右，但是现在它已经有信心可以在不久的将来将其扩展到 600 层以上。随着层数的增加，SK 海力士以及其他 3D NAND 生产商不得不让每一层变得更薄，NAND 单元更小，并引入新的电介质材料来保持均匀电荷，从而保持可靠性。
SK 海力士已经是原子层沉积领域的领导者之一，因此其下一个目标是实现高深宽比（A/R）接触（HARC）刻蚀技术。同样，对于 600 层以上的 3D NAND，可能还需要学会如何将多层晶圆堆叠起来。
行业何时才能有 600 层以上的 3D NAND 设备以及如此惊人的层数将带来的多大的容量，SK 海力士没有给出具体预测，不过该公司仅凭借 176 层技术就已经着眼于 1TB 的产品，因此 600 层以上的产品容量将是巨大的。
DRAM 的未来：EUV 低于 10nm
与美光科技不同，SK 海力士认为采用 EUV 光刻技术是保持 DRAM 性能不断提高，同时提高存储芯片容量、控制功耗最直接的方法。借助 DDR5，该公司不得不推出容量超过 16GB 的存储设备，数据传输速率可达 6400GT/s，这些存储设备将堆叠在一起以构建大容量的 DRAM。
由于未来的存储器产品必须满足高性能、高容量以及低功耗等要求，因此先进的制造技术变得更加重要。为了成功实施 EUV 技术，SK 海力士正在开发用于稳定 EUV 图案和缺陷管理的新材料和光刻胶。另外，该公司正在寻求新的电池结构，同时通过使用由高介电常数材料制成更薄的的电介质来保持其电容。
值得注意的是，SK 海力士现在也在寻找减少 “用于互连的金属”电阻的方法，这表明 DRAM 晶体管的尺寸已经变得非常小，以至于其触点将成为瓶颈。借助 EUV，晶体管将缩小尺寸，提升性能并降低功耗，接触电阻将成为 10nm 以下的瓶颈。不同的芯片生厂商用不同的方式来解决这一问题：英特尔决定使用钴代替钨，而台积电和三星则选择了选择性钨沉积工艺。SK 海力士未详细说明其抗接触电阻的方法，只是表明正在寻求下一代电极和绝缘材料并引入新工艺。
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